中國半導體器件型號命名方法
日期:2021-09-08 / 人氣: / 來源:
[概要說明]中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分的意義分別如下:
第一部分:用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2:二極管;3:三極管。
第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。
表示二極管時:A:N型鍺材料;B:P型鍺材料;C:N型硅材料;D:P型硅材料。
表示三極管時:A:PNP型鍺材料;B:NPN型鍺材料; C:PNP型硅材料;D:NPN型硅材料。
第三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。
P:普通管;
V:微波管;
W:穩(wěn)壓管;
C:參量管;
Z:整流管;
L:整流堆;
S:隧道管;
N:阻尼管;
U:光電器件;
K:開關管;
X:低頻小功率管(f <3MHz,Pc<1W);
G:高頻小功率管(f >3MHz,Pc<1W);
D:低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W);
A:高頻大功率管(f >3MHz,Pc>1W);
T:半導體晶閘管(可控整流器);
Y:體效應器件;
B:雪崩管;
J:階躍恢復管;
CS:場效應管;
BT:半導體特殊器件;
FH:復合管;
PIN:PIN型管;
JG:激光器件。
第四部分:用數(shù)字表示序號。
第五部分:用漢語拼音字母表示規(guī)格號。例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。
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