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雖然美中貿(mào)易戰(zhàn)引發(fā)的總體經(jīng)濟(jì)不確定性，對(duì)第一季半導(dǎo)體市場(chǎng)造成沖擊，但包括英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semi）、威世（Vishay）等國(guó)際IDM大廠，在近期召開的法人說(shuō)明會(huì)中不約而同表示，受惠于5G及電動(dòng)車等新需求明顯成長(zhǎng)，對(duì)今年金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）等功率半導(dǎo)體市況抱持樂(lè)觀看法，下半年仍有可能持續(xù)供不應(yīng)求。

此外，晶圓代工廠持續(xù)受惠于IDM廠釋出委外訂單，第一季MOSFET晶圓代工接單維持高檔。世界先進(jìn)董事長(zhǎng)方略就指出，包括MOSFET在內(nèi)的分離式元件第一季投片量幾乎與上季持平。法人看好大中（6435）、杰力（5299）等MOSFET供應(yīng)商可望受惠，今年?duì)I運(yùn)將優(yōu)于去年。

英飛凌及安森美等IDM廠在法說(shuō)會(huì)中指出，美中貿(mào)易戰(zhàn)影響中國(guó)市場(chǎng)需求，包括MOSFET及絕緣閘雙極晶體管（IGBT）等功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在去年第四季面臨庫(kù)存去化壓力，但第一季市況已經(jīng)穩(wěn)定下來(lái)，主要是受惠于5G新空中界面（5G NR）、電動(dòng)車及先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、人工智能及高效能運(yùn)算（AI/HPC）等需求回溫，抵消了計(jì)算機(jī)及手機(jī)等3C產(chǎn)品的需求減緩壓力。

安森美執(zhí)行長(zhǎng)Keith Jackson在法說(shuō)會(huì)中指出，雖然總體經(jīng)濟(jì)展望不佳，但對(duì)中長(zhǎng)期看法維持樂(lè)觀，因?yàn)橛兴拇筅厔?shì)（megatrends）帶動(dòng)功率半導(dǎo)體及電源管理等市場(chǎng)成長(zhǎng)，包括了電動(dòng)車加速導(dǎo)入市場(chǎng)及擴(kuò)大采用能提升駕駛安全性的ADAS系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用持續(xù)提升電源效率、云端運(yùn)算帶動(dòng)服務(wù)器及資料中心建置、以及才剛起步的5G基礎(chǔ)建設(shè)等，都需要采用更多的MOSFET或IGBT。

英飛凌營(yíng)銷長(zhǎng)Helmut Gassel在法說(shuō)會(huì)中指出，包括MOSFET在內(nèi)的功率半導(dǎo)體近期的確受到市況疲弱及庫(kù)存增加影響，但仍看好后續(xù)需求回升，且通路端庫(kù)存僅增高個(gè)位數(shù)百分比，預(yù)期增加的庫(kù)存會(huì)在第一季底完成去化，以價(jià)格并未受到影響或出現(xiàn)跌價(jià)情況，價(jià)格仍維持平穩(wěn)，只有出貨量減少的問(wèn)題。

英飛凌亦說(shuō)明，包括5G在內(nèi)的新應(yīng)用對(duì)MOSFET需求有明顯增加，如5G頻段區(qū)分為Sub-6GHz及毫米波，新增支援波束成形（及大規(guī)模多重輸入多重輸出等基礎(chǔ)建設(shè)需要大量采用MOSFET。另外，霧運(yùn)算及邊緣運(yùn)算市場(chǎng)將在5G時(shí)代快速成長(zhǎng)，法人看好相關(guān)應(yīng)用裝置MOSFET訂單可望由大中、杰力、尼克松等臺(tái)廠拿下。