解決先進(jìn)工藝MOSFET的測(cè)量問(wèn)題的最好辦法
日期：2018-03-16 / 人氣： / 來(lái)源：
[概要說(shuō)明]解決先進(jìn)工藝MOSFET的測(cè)量問(wèn)題的最好辦法
在大家對(duì)摩爾定律的質(zhì)疑聲中，工藝制程已經(jīng)推進(jìn)到了7nm，未來(lái)的5nm和3nm也都在固化之中。但我們應(yīng)該見(jiàn)到，無(wú)論對(duì)于晶圓廠、EDA工具提供商或者測(cè)試廠來(lái)說(shuō)，挑戰(zhàn)日益嚴(yán)峻，尤其對(duì)于測(cè)試方面。
首先是電子阱測(cè)試的問(wèn)題。
電子阱存在于MOSFET的溝道之中，隨著工藝的演進(jìn)，器件MOSFET的溝道變得越來(lái)越短，這就會(huì)影響器件穩(wěn)定性以及器件間的失配。為了能測(cè)量出器件中電子阱的數(shù)量，傳統(tǒng)方法是在直流情況下測(cè)試器件的隨機(jī)電報(bào)噪聲，但在先進(jìn)工藝（如16nm），這樣的測(cè)量就顯得有些力不從心。
另一方面，MOSFET的遷移率（遷移率是MOSFET性能的重要指標(biāo)）的測(cè)量也成為從業(yè)者關(guān)注的另一個(gè)重要問(wèn)題。
傳統(tǒng)的慢速方法無(wú)法捕捉到電荷阱和柵極漏電流等瞬態(tài)效應(yīng)的影響，而且在測(cè)試過(guò)程中需要改變MOSFET的漏端電壓并有一次更換線纜的動(dòng)作，進(jìn)而造成誤差。
為此，供應(yīng)商們與時(shí)俱進(jìn)的推出了新的測(cè)試方案，幫助其客戶解決問(wèn)題。
例如面向電子阱的問(wèn)題，泰克采用了柵極加交流電的情況下去測(cè)隨機(jī)電報(bào)噪聲的方法，從而提高電子阱的測(cè)試準(zhǔn)確率和測(cè)試靈敏范圍。
至于遷移率測(cè)量，泰克則采用（Ultra-Fast Single Pulse）UFSP的方法僅需一次快速打一個(gè)很短的脈沖（幾微秒）即可測(cè)出遷移率，避免了傳統(tǒng)方法的幾個(gè)問(wèn)題。
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